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《自然·光子學(xué)》專(zhuān)欄報道上海光機所高密度光存儲實(shí)驗室首次利用硫系薄膜實(shí)現灰度光刻

來(lái)源： 發(fā)布時(shí)間：2014-05-04【字體：大 中 小】

　　2014年5月出版的《Nature Photonics》(《自然·光子學(xué)》)雜志，在News & Views專(zhuān)欄中，專(zhuān)題報道了中科院上海光機所高密度光存儲實(shí)驗室魏勁松研究小組首次利用硫系薄膜實(shí)現高分辨率的灰度圖形光刻[Nature Photonics 8, 352 (2014), doi:10.1038/nphoton.2014.92]。該研究小組在干福熹院士和吳誼群研究員的帶領(lǐng)下長(cháng)期從事非線(xiàn)性超分辨納米光學(xué)與光子學(xué)研究以及微納結構光刻構造與應用開(kāi)發(fā)。上述研究成果的全文發(fā)表于2014年3月10日出版的《光學(xué)快訊》[Optics Express 22, 5, 4973-4984 (2014)]。該項研究首次發(fā)現利用激光直寫(xiě)在硫系薄膜形成表面浮雕結構，通過(guò)精確控制激光脈沖能量可以得到不同高度和尺寸的浮雕結構，不同高度和尺寸的浮雕結構產(chǎn)生不同的反射（透射）光譜，利用該效應形成灰度光刻，并成功在Sb2Te3薄膜上刻寫(xiě)出連續調灰度圖像。 

　　《自然·光子學(xué)》雜志編輯部Simon Pleasants博士撰稿的上述專(zhuān)欄報道，以”Lithography: Chalcogenide promise”為題，重點(diǎn)評論指出：“硫系薄膜作為相變材料在光存儲，半導體存儲中具有廣泛的應用，這些應用基于硫系薄膜的非晶態(tài)和晶態(tài)所具有的不同光學(xué)特性和電學(xué)特性。現在，利用硫系薄膜的液態(tài)，氣態(tài)，晶態(tài)和非晶態(tài)四種狀態(tài)，演示了使用硫系相變薄膜作為灰度光刻材料制備灰度圖形(Opt. Express 22, 4973–4984; 2014)”。 

　　該研究通過(guò)激光直寫(xiě)硫系相變材料形成表面浮雕結構，為復雜灰度圖案的制備提供了新的解決辦法，這與當前的曝光成像技術(shù)，電子束光刻，聚焦離子束光刻技術(shù)不同，是一種新穎簡(jiǎn)單又低成本的制造工藝。凸起的浮雕結構展示的光學(xué)性能在高分辨率的微納圖像存儲，微藝術(shù)品加工和灰度掩膜制備等許多方面有潛在的應用價(jià)值。 

　　該項研究得到了國家自然科學(xué)基金，中國科學(xué)院科研裝備研制計劃和上海市科委基礎研究重點(diǎn)計劃的支持。（高密度光存儲實(shí)驗室供稿） 

　　

　　  

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